部品・素材熱処理炉

真空成膜装置

真空成膜装置SUPLaDUO®

Roll to Rollシステム

SUPLaDUOは、中外炉が長年にわたり蓄積した真空総合技術・熱制御技術に、独自の研究開発の末に実用化した多彩なプラズマ制御技術を融合した、画期的な真空成膜（蒸着）プロセスです。

イオン化率の極めて高い低電圧・大電流プラズマを生成する圧力勾配型ホロカソードプラズマガンを搭載し、このプラズマを独自開発の磁場制御技術でコントロール。低基板温度・高成膜速度・高反応性で酸化亜鉛透明導電膜や絶縁膜などの良質な薄膜作製を実現し、同時にスプラッシュも抑制。幅広いアプリケーションソフト・ハードを充実して実用化しています。

■特長
低基板温度で低抵抗の透明導電膜（ITOやZnO酸化亜鉛など）が高速で作製できる。
従来比3～4倍の高速成膜で緻密で耐スパッタ性に優れたMgO膜が作製できる。
数10Vのバイアス電圧下で密着性、耐久性、表面平滑性、硬度などに優れた膜が高速で作製できる。
酸化物、窒化物などの複合膜や多層膜が簡単に作製できる。
など、従来成膜法では物足りなかった、1クラス上の成膜ニーズにお応えします。

■硬質膜の作製



SUPLaDUOの特長である大電流プラズマを使用することで、DLC（Diamond-Like Carbon）膜が形成できます。硬く、平滑な膜を高速で作製します。
また、N₂ガスを使って窒素プラズマを生成できるので、金属基材へのプラズマ窒化処理による表面硬化処理も可能です。

■絶縁性薄膜の断面SEM比較（SixOy膜）

　　【従来の抵抗加熱蒸着法】 　　　　　　　　【SUPLaDUO】
Si基板上に成膜したSixOy膜を断面SEM写真で比較すると、SUPLaDUOでは緻密な膜が形成されています。さらにSUPLaDUOでは非加熱成膜なうえ、成膜速度は10nm/secと高速です。

■プラスチックフィルムへのGZO（Ga添加酸化亜鉛）成膜サンプル写真

ファインテック ジャパン展示会にて（左側2枚は15Ω/□、30Ω/□の成膜サンプル）

■基本システム構成
Batch Type
Batch Inter-Back Type
In-Line Type
Continuous Inter-Back Type
Roll to Roll Type

真空成膜装置SUPLaDUOは、開発用から本格量産用まで、多様なニーズに最適なシステムを提供しています。
なお、絶縁膜を形成する絶縁材料の量産安定成膜には、反射電子帰還電極システムの搭載が必須です。

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関連受託テストのご紹介

受託テーマ「二次電池負極材などの連続粉体焼成テスト」

装置概要

• イオン化率の極めて高い低電圧・大電流の高密度プラズマに、独自のプラズマコントロール技術を融合した真空成膜装置SUPLaDUO。
  材料の導電性／絶縁性を問わず成膜できます。また密着性が高く、低基板温度、高反応性で良質な薄膜を形成します。また、スパッタリング法に比べて成膜速度が速いうえ、各種フィルム（PEN、PET等）を真空中で加熱搬送可能です。

主な用途

• ●各種FPD基板への成膜　●各種フィルムへの成膜ならびに真空加熱脱ガス処理　●各種電子部品への成膜

装置仕様

• ●最大基材幅：
  【ロール to ロール】400mm（基材厚：25～200μm）
  【バッチ（グローブボックス有）】200mm
  【バッチ（グローブボックス無）】300mm
  ●成膜膜種：ITO、MgO、SiO₂、SiO、SiON、Al、Al₂O₃、MoO₃、MgF₂、Ag、Cr、Ti　など
  ●加熱温度：150℃【ロール to ロール】

▼テスト概要の説明項目（テストお申し込みの際、これらの項目をご参考に、概要説明願います。)

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