部品・素材熱処理炉

真空成膜装置

真空成膜装置SUPLaDUO®


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バッチシステム

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ロードロックシステム

SUPLaDUOは、中外炉が長年にわたり蓄積した真空総合技術・熱制御技術に、独自の研究開発の末に実用化した多彩なプラズマ制御技術を融合した、画期的な真空成膜(蒸着)プロセスです。

イオン化率の極めて高い低電圧・大電流プラズマを生成する圧力勾配型ホロカソードプラズマガンを搭載し、このプラズマを独自開発の磁場制御技術でコントロール。低基板温度・高成膜速度・高反応性で酸化亜鉛透明導電膜や絶縁膜などの良質な薄膜作製を実現し、同時にスプラッシュも抑制。幅広いアプリケーションソフト・ハードを充実して実用化しています。

■特長
低基板温度で低抵抗の透明導電膜(ITOやZnO酸化亜鉛など)が高速で作製できる。
従来比3~4倍の高速成膜で緻密で耐スパッタ性に優れたMgO膜が作製できる。
数10Vのバイアス電圧下で密着性、耐久性、表面平滑性、硬度などに優れた膜が高速で作製できる。
酸化物、窒化物などの複合膜や多層膜が簡単に作製できる。
など、従来成膜法では物足りなかった、1クラス上の成膜ニーズにお応えします。

■硬質膜の作製



SUPLaDUOの特長である大電流プラズマを使用することで、DLC(Diamond-Like Carbon)膜が形成できます。硬く、平滑な膜を高速で作製します。
また、N2ガスを使って窒素プラズマを生成できるので、金属基材へのプラズマ窒化処理による表面硬化処理も可能です。

■絶縁性薄膜の断面SEM比較(SixOy膜)


【従来の抵抗加熱蒸着法】         【SUPLaDUO】
Si基板上に成膜したSixOy膜を断面SEM写真で比較すると、SUPLaDUOでは緻密な膜が形成されています。さらにSUPLaDUOでは非加熱成膜なうえ、成膜速度は10nm/secと高速です。

■プラスチックフィルムへのGZO(Ga添加酸化亜鉛)成膜サンプル写真

ファインテック ジャパン展示会にて(左側2枚は15Ω/□、30Ω/□の成膜サンプル)

■基本システム構成
Batch Type
Batch Inter-Back Type
In-Line Type
Continuous Inter-Back Type
Roll to Roll Type

真空成膜装置SUPLaDUOは、開発用から本格量産用まで、多様なニーズに最適なシステムを提供しています。
なお、絶縁膜を形成する絶縁材料の量産安定成膜には、反射電子帰還電極システムの搭載が必須です。

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関連受託テストのご紹介

受託テーマ「真空成膜テスト」

テスト装置名
真空成膜装置SUPLaDUO※写真はグローブBox付帯バッチ式装置
テスト装置の設置場所
当社技術研究所(大阪府堺市)

装置概要

  • イオン化率の極めて高い低電圧・大電流の高密度プラズマに、独自のプラズマコントロール技術を融合した真空成膜装置SUPLaDUO。
    材料の導電性/絶縁性を問わず成膜できます。また、スパッタリング法に比べて成膜速度が速いうえ、基材側への低ダメージ成膜が可能です。
    グローブ付帯装置では、低露点下での処理ができます。汎用バッチ装置では基材のボンバード、プラズマ窒化、イオンプレーティング、CVDなどの複合連続処理ができます。

主な用途

  • ●低ダメージ成膜 ●絶縁膜の高レート成膜 ●高硬度膜 ●高密着成膜 など

装置仕様

  • ●最大基材幅:
    【バッチ(グローブボックス有)】200mm
    【バッチ(グローブボックス無)】300mm
    ●成膜膜種:ITO、MgO、SiO2、SiO、SiON、SiOCN、Al、MoO3、MgF2、Ag、Cr、CrN、Ti、DLC など
    ●加熱温度:300℃

▼テスト概要の説明項目(テストお申し込みの際、これらの項目をご参考に、概要説明願います。)

・基材(材質、寸法、耐熱)・成膜膜種(材料、膜厚)※材料はペレット材となります。

受託テストのお申し込み・お問い合わせ

  • テストは基本的に有償です。(テスト詳細が確定後、お見積書を提出いたします。)
  • テストを希望される方は、下記の「受託テストのお申し込み」ボタンをクリックし、「テストお申し込み専用フォーム」に必要事項を入力のうえ、送信してください。
  • ご依頼内容によっては、お断りする場合もあります。
  • テスト装置の使用状況により、長期間お待ちいただかなければならない場合があります。

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